不得不说，现在中国芯片产业外部的局势是越来越紧张了。
去年10月份，美国对人才、设备、软件、资金等全方面封者，想要锁死我们的DRAM内存在18纳米，锁死NAND闪存在128层，锁死逻辑芯片工艺在14纳米。
然后今年美国又联手了荷兰、日本继续围堵。目前日本也出台政策，把尖端半导体制造设备等23个品类列入出口管理限制对象名单。
(资料图片仅供参考)
如果从工艺来看的话，日本的这些设备，均属于制造电路线宽在10～14纳米以下的尖端产品所需设备。而ASML之前表示，浸润式光刻机，也不能随便卖到中国来了，只有一台可以卖。
很明显，目前国内芯片产业要向往先进工艺进发，确实是比较困难了，从现在的14nm进入10nm，短时间之内，基本很难实现。
所以在这样的情况下，我觉得中国芯接下来的方向，不是先想办法进入10nm，而是先想办法实现28nm工艺的全部国产化。
何谓全部国产化？即生产28nm芯片的设备、材料、技术、软件等，全部国产化，不需要依赖进口。
事实上，目前在28nm这个工艺上，我们都没有实现国产化的，比如光刻机使用的是ASML的，很多控制良率设备使用的是美国、日本厂商的，材料也很多来自日本的。
目前，虽然美国、日本等厂商，并没有对28nm这个工艺进行限制，针对的主要是14nm及以下的工艺，但未来可就难说。
所以我们要做好准备，路一步一步走，先把28nm工艺国产化。而这个目标，目前看起来并不遥远。
如上图所示，在芯片制造的扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试等8个关键环节，国产的设备，大多已经达到了28nm，有少部分甚至达到了5nm、3nm了。
而在材料方面，情况也差不多，很多达到了28nm。如果国产芯片厂商们多支持，估计全套产业链，都可以迅速提升至28nm，甚至更高的水平。
而从2022年数据来看，全球76%左右的芯片（数量占比，不是价值占比），还是采用28nm及以上的工艺制造的。
所以中国芯目前的方向，在我看来肯定不是想方设法进入14nm以下，那也不现实，还是先把28nm全国产化， 再以成熟工艺为基础，慢慢推动整个国产供应链成长，最终突破至14nm，再10nm……这样就不怕被人卡脖子，因为我们那时候已经没脖子了，脖子和身体一样粗，对方没法卡了。
原文标题 : 中国芯接下来的方向，是实现28nm国产化，不是进入10nm
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